Seúl — Samsung Electronics anunció el 8 de septiembre de 2026 que ampliará su colaboración con la neerlandesa ASML para acelerar tecnologías de fabricación de semiconductores de nueva generación. La compañía coreana se sumará al Large Size Mask Consortium, una iniciativa global liderada por ASML para desarrollar fotomáscaras de 12 pulgadas, y trabajará en paralelo para introducir la litografía EUV High NA en procesos de memoria D-RAM avanzada con el objetivo de aplicarla a producción hacia 2028. La estrategia busca reforzar su competitividad en microfabricación tanto en memoria como en fundición (foundry).
En la fabricación de chips, la fotomáscara es el original donde se graban patrones de los circuitos que luego se transfieren al wafer mediante equipos de litografía. A medida que los nodos se vuelven más finos, la estabilidad y precisión con la que se reproducen estos patrones se vuelve decisiva para el rendimiento y la tasa de aprovechamiento. La tecnología EUV High NA —que emplea una apertura numérica superior a la de la EUV convencional— permite delinear trazos aún más pequeños y reducir etapas complejas del proceso, aspectos críticos en la carrera por la miniaturización.
Hasta ahora, la industria ha trabajado mayoritariamente con máscaras de 6 pulgadas. En ese entorno, los patrones de gran tamaño suelen dividirse en múltiples secciones y unirse en el wafer mediante un procedimiento conocido como “stitching”, que puede introducir limitaciones. Ampliar la máscara a 12 pulgadas pretende aliviar esas restricciones, elevar la eficiencia de producción y aumentar el potencial de la EUV High NA, especialmente en dispositivos con miles de millones de transistores donde la colocación precisa resulta esencial.
Según Samsung Electronics, su experiencia acumulada en producción con EUV en negocios de memoria y fundición será la base para contribuir a la investigación sobre máscaras de 12 pulgadas dentro del consorcio y para impulsar el desarrollo del ecosistema asociado, incluidos trabajos de I+D y estandarización. El Large Size Mask Consortium reúne a actores de equipos de litografía y de tecnología de fotomáscaras para compartir tendencias, coordinar investigaciones conjuntas y avanzar hacia especificaciones comunes.
La cooperación con ASML no se limita a las máscaras. Samsung planea reforzar el trabajo conjunto para introducir equipos EUV High NA en sus líneas de D-RAM avanzada con miras a 2028. Una aplicación efectiva de esta litografía en memoria permitiría patrones más precisos, simplificar determinadas etapas que hoy requieren múltiples pasadas y, en consecuencia, mejorar productividad y costes.
El trasfondo es claro: la expansión de la inteligencia artificial está disparando la demanda de memorias de alto rendimiento y gran capacidad. En este contexto, la capacidad de fabricar circuitos cada vez más finos sin sacrificar tasas de rendimiento ni control de costos se está convirtiendo en un factor decisivo de competitividad. La alianza entre Samsung Electronics —uno de los pocos actores que operan de forma integrada memoria y foundry— y ASML —proveedor clave de equipos EUV y EUV High NA— trasciende la relación tradicional de compra de maquinaria y avanza hacia el codesarrollo de tecnologías y ecosistemas de fabricación de próxima generación.
En línea con ese enfoque, Jeon Young-hyun, vicepresidente y director ejecutivo de Samsung Electronics, subrayó que, en la era de la IA, la innovación tecnológica cobra más relevancia en toda la industria de semiconductores y que la empresa fortalecerá su competitividad en fabricación avanzada, tanto en foundry como en memoria, construyendo con ASML una base tecnológica orientada al “Next AI”. Por su parte, Christophe Fouquet, director ejecutivo de ASML, reafirmó a Samsung como un socio de innovación de larga data y expresó su compromiso de impulsar juntos el desarrollo de tecnologías de fabricación de nueva generación en un mercado guiado por la IA.
Samsung Electronics y ASML prevén ampliar su cooperación hacia memorias avanzadas y nuevos enfoques de producción. Con el aumento del grado de dificultad en los procesos de microfabricación, la evolución de la máscara de 12 pulgadas y la adopción de EUV High NA serán elementos a seguir de cerca para evaluar hasta qué punto consolidan la posición de Samsung en las próximas generaciones de memoria y servicios de fundición dentro del competitivo mapa global de semiconductores.
